پروپوزال مهندسی برق طراحی و شبیه سازی ترانزیستورهای مبتنی بر نانو روبان گرافنی GNR FET

مشاوره در انجام پایان نامه و پروپوزال ارشد و دکتری، انجام پایان نامه ارشد و دکتری ادیب مشاور، انجام پایان نامه، انجام پایان نامه ارشد، انجام پایان نامه کارشناسی ارشد، انجام رساله دکتری، انجام پایان نامه دکتری

در نمونه پروپوزال ارشد مهندسی برق قدرت به دنبال ارائه طرحی جهت یادگیری دانشجویان ارشد با ساختار کلی پروپوزال هستیم که دانشجو بتواند با مطالعه پروپوزال در روند انجام پایان نامه ارشد آشنایی پیدا کند و توان تدوین پروپوزال و پایان نامه را داشته باشد.از آنجایی که دانشجویان در مقطع ارشد آشنایی اولیه ای با روند انجام پروپوزال و انجام پایان نامه ندارند و در این مسیر نیازمند مشاوره در انجام پایان نامه هستند بنابراین سعی شده است که با ارائه موضوعات پایان نامه،نمونه پروپوزال ارشد و نمونه پایان نامه ارشد دانشجویان را در این مسیر یاری رسانده و آشنایی لازم را در این مسیر کسب نمایند.لازم است که دانشجویان عزیر با دقت نمونه موضوعات پایان نامه و نمونه پروپوزال ها و پایان نام های ارائه شده را با دقت مطالعه نموده و با نمونه برداری از هر قسمت به تدوین پروپوزال و پایان نامه خود اقدام نمایند.امید است که در این راه بتوانیم همواره مشاور و همراه شما باشیم .

در قسمت دفاعیه پایان نامه نیز نمونه پاورپوینت ارشد قرار داده هست که دانشجویان بتوانند جهت اماده سازی پاورپوینت دفاع پایان نامه استفاده نمایند.یک دفاع موفق منوط به مطالعه با دقت پایان نامه و رفع اشکال پایان نامه و سپس ارائه پاورپوینت با قسمت های پایان نامه همراه با آرامش در زمان دفاع می باشد.موسسه ادیب مشاور همواره در تمامی این مراحل در کنار شما عزیزان خواهد بود.

بیان مساله و سوال های اصلی تحقیق : 

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره‌ها و مدارهای مجتمع پیش می‌آید که باید هم‌زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک‌سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به‌وجود می‌آید که به آثار کانال کوتاه معروف هستند. این آثار باعث اخلال در عملکرد ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و مشخصه‌های خروجی آن‌ها خواهد شد. امروزه با كوچك شدن چشمگير ابعاد ادوات الكترونيكي (مانند ترانزيستورها)، محدوديت­هاي منتج از پديده­هاي كوانتومي، در عملكرد اين افزاره­ها نمايان شده­اند و بدين ترتيب فناوري سيليسيم گرفتار محدوديت هاي شديد فيزيكي شده است. همچنین با کوچک کردن تمامی ابعاد افقی و عمودی ترانزیستور، چگالی بار الکتریکی در در نواحی گوناگون ترانزیستور افزایش می یابد یا به بیان دیگر تعداد بار الکتریکی در یکای سطح زیاد می­شود که این اتفاق دو پیامد منفی دارد: اولا با افزایش بار الکتریکی امکان تخلیه بار از نواحی عایق ترانزیستور ایجادشده  و این باعث آسیب دیدن ترانزیستور و خرابی آن می شود. ثانیاً پدیده تونل زنی کوانتومی پیش می­آید که ناشی از افزایش نیروهای رانشی یا ربایشی بوده که از محدوده یک اتم خارج شده و به محدوده اتم های دیگر انتقال پیدا می کنند. در ترانزیستور این پدیده خوبی نیست چرا که باعث افزایش ناخواسته جریان شده و حتی منجر به جریان نشتی می­شود.  لذا انتظار مي­رود براي ادامه مسير پيشرفت در عرصه افزاره هاي نانو الكترونيكي از ساختارهاي جايگزيني كه مبتني بر گرافن هستند، استفاده شود.گرافن يك شبکه دو بعدي از اتم­هاي كربن است كه به صورت شبكه­اي از شش ضلعي­هاي منتظم در كنار هم قرار گرفته که دارای ساختار لایه نازک است و همچنین می‌توان گاف انرژی آن را به دلخواه تغییر داد. نانونوار‌های گرافنی کم عرض، دارای خواص نیمرسانایی بوده در حالی که نانو نوار‌های پهن‌تر دارای خواص فلزی هستند. بنابراین از گرافن کم عرض می‌توان به‌ عنوان ماده اولیه برای طراحی قطعات مختلف استفاده کرد. از طرفی دیگر تمام اتم‌های کربن در سطح گرافن قرار گرفته است و چگالی الکترون‌ها در آن بالا می‌باشد.گرافن به علت خواص الكترونيكي، مکانیکی و حرارتی مناسبي كه دارد، جهت استفاده در کانال ترانزیستورهای اثر میدانی، بسیار مناسب است. در قطعات الکترونیکی مبتنی بر سیلیکون، سرعت عملکرد قطعه توسط حفره‌ها محدود می‌شود ولی در گرافن تحرک حفره‌ها برابر با تحرک الکترون­هاست، در نتیجه قطعات الکترونیکی مبتنی بر گرافن سریع‌تر عمل می‌کنند.

گرافن یک ماده جدید با خواص فوق العاده در فن‌آوری نانو است که می­توان به طور گسترده در صنعت تولید کرد، بنابراین لازم است برای بررسی مناسب بودن آن به عنوان ماده خام برای کاربردهای نانو نسبت به مواد دیگر، مانند نانولوله ­های کربنی، سیلیکون و ژرمانیوم، ارزیابی کامل و جامع شود. از آنجا که گرافن کاملا یک ماده جدید است، هنوز به انجام مطالعات و تحقیقات بیشتر در زمینه ترانزیستورهای مبتنی بر گرافن وجود دارد. در این پژوهش، مشخصه و عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر گرافن با وجود ناخالصی در کانال، مورد توجه است. با توجه به اینکه گرافن دارای گاف انرژی صفر بوده، لذا نمی­توان از آن در ساخت اداوت الکترونیکی مانند ترانزیستورها استفاده نمود. با این حال، برش گرافن در ابعاد کمتر از 10 نانومتر، باعث ایجاد گاف انرژی می­شود که چنین نانو ساختارهایی موسوم به نانونوارهای گرافنی­اند. اگر گرافن در یک جهت خاصی محدود گردد نانو نوار گرافنی نوع زیگزاگی، ایجاد می­شود که بدلیل جایگزیده بودن توابع موج در لبه های زیگزاگی، خواص فلزی از خود نشان می­دهد. این در حالی است که برش گرافن در جهت دیگر، باعث بوجود آمدن نوع آرمچیر شده و به دلیل محدودیت­های کوانتومی و حالات لبه­اش، از خود خواص نیمرسانایی نشان می­دهد. در این مورد گاف انرژی ایجاد شده، به عرض نانونوار بستگی دارد، ولی میزان آن کم بوده و مناسب جهت استفاده در کاربردهای منطقی نیست. در صورتی که به کرات در ترانزیستورهای گرافنی فرکانس بالا استفاده شده است. تا بحال روش­های زیادی برای ایجاد گاف انرژی در نانونوار گرافنی زیگزاگی، ارایه شده است که از جمله آن­ها می­توان به تزریق ناخالصی­ها، تغییر شکل در لبه ها(ایجاد نقوص و نامرتبی در لبه­ ها)، پسیوسازی با هیدروژن و نیتروژن، اشاره کرد.

سوالاتی که در تحقیق پیش رو خواهیم داشت عبارتند از:

1- محدودیت­های اساسی ترانزیستورهای کنونی در چیست؟

2- چطور می­توان بر مشکلات ناشی از آثار کانال کوتاه، غلبه کرد؟

3- راهکار افزایش سرعت در ترانزیستورهای ماسفت چیست؟

4- نحوه ایجاد مقاومت منفی جهت استفاده در کاربردهای خاص به چه صورت است؟

5- آیا گرافن می تواند جوابگوی نیازهای موجود باشد و عملکرد افزاره از لحاظ نسبت جریان خاموشی به جریان روشنایی، تاخیر

 

ذاتی و توان مصرفی را بهبود ببخشد؟

6- مهندسی ساختار گرافن برای استفاده در ترانزیستورها به چه صورت خواهد بود؟

 

سابقه و ضرورت انجام تحقیق

گزارشات اولیه در مورد ترانزیستور به سال 1938 بر می گردد که پول و هیلش اولین مدل را گزارش دادند. بعد از در سال 1947 آن شاکلی و همکارانش ترانزیستور دوقطبی را ساختند که اولین قطعه سه ترمینالی بود و دو اتصال p-n پشت به پشت یا همان اتصال p-n-p بود. هر کدام از ترمینال­ها به اتصالات مذکور وصل بودند. جریان بین نواحی p  می­توانست از طریق اعمال ولتاژ به ناحیه n، تنظیم گردد. بعد از این اکتشاف مهم، صنعت الکترون راه درازی را طی نمود و منجر به کشف نوع جدیدی از تزانزیستورهای تک قطبی با مدل و ساختار جدیدتر مبتنی بر اثر میدانی موسوم به FET گردید که امروزه به نام MOSFET مشهور است. اولین ترانزیستور اثر میدانی فلز-نیمه­هادی در سال 1960توسط کانگ و آتلا ساخته شد. کانال نیمه هادی به ترمینال­های موسوم به سورس و درین متصل است که از طریق آن­ها ولتاژ بایاس به کانال صورت می­گیرد. ترمینال سوم گیت نام دارد که بصورت الکتریکی از ناحیه نمیه­هادی، عایق­­بندی شده است و جهت کنترل پتانسل الکترواستاتیکی در سطح عایق/نیمه هادی بکار می­رود.

هر چند وقت یکبار دیده می­شود که یک برگ کاغذی می­تواند تکنولوژی جدید را رقم بزند. چینین انقلابی در سال 2004 با کشف گرافن به عنوان ماده تک لایه با ضخامت یک اتم نمودار شد. طولی نکشید که این ماده مهم جامعه دانشمندان را درنوردید و تکنولوژی آن به استفاده در افزاره­های مختلفی از جمله ترانزیستورهای گرافنی دیده شد. بسیاری از سازندگان تراشه در سطح دنیا، در حوزه گرافن فعالیت کرده و حتی جامعه جهانی در حال توسعه اسناد استفاده از گرافن در صنعت دیرینه سیلیکون هستند.

در سال­های اخیر، چندین مقاله مروری در مورد علوم پایه­ای مربوط به گرافن چاپ شده است. این مقالات علاقمندی خاصی جهت مطالعه در مورد خواص گرافن و تکنولوژی رو به جلو در مورد ترانزیستورهای گرافنی را می­دهند.

ترانزیستورهای MOSFET با گیت بالایی از طریق گرافن با رشد هم­ بافته ساخته شدند. در آن­ها گرافن بر روی فلزاتی مانند نیکل و مس رشد داده شد و SiO2 ، Al2O3  و HfO2 به عنوان لایه دی­الکتریک استفاده شدند. کانال چنین ترانزیستورهایی با گیت بالایی، از گرافن با ابعاد بزرگ ساخته می­شود که دارای گاف انرژی نبوده و لذا حالت خاموشی ندارند. ترانزیستورهای با وسعت بزرگ دارای مشخصه جریان-ولتاژ بی نظیری­اند. چگالی و نوع حامل­ها توسط اختلاف پتانسیلی که بین کانال و گیت­ها هست، تحت تاثیر قرار می­گیرد. اعمال ولتاژ گیت مثبت بزرگ، انبارش الکترون را در کانال ارتقا می­بخشد(کانال نوع n) و ولتاژ منفی باعث ایجاد کانال نوع p می­گردد. این رفتار از آنجا ناشی می­شود که شاخه­های مشخصه انتقالی در نقطه دیراک از هم جدا می­شوند.

فائز و همکاران، مدل جدیدی از ترانزیستور گرافنی را ارائه کردند که در آن از دو نوع عایق گیتی با ثابت های دی الکتریک متفاوت استفاده شده است که از دو ویژگی ثابت دی الکتریک بالا و پایین استفاده می­کند. عایق موجود در سمت درین، ماده­ای با ثابت دی الکتریک پایین، به منظور ایجاد ظرفیت خازنی پایین و عایق موجود در طرف سورس از ماده­ای با ثابت دی­الکتریک بالا، به منظور افزایش مقدار جریان روشنایی و کاهش جریان نشتی استفاده شد. شبیه سازی­ها نشان از افزایش مقدار جریان روشنایی، کاهش جریان نشتی و افزایش رسانایی در مقایسه با ساختارهای مرسوم با ثابت دی الکتریک پایین بود. با بررسی مداری ترانزیستور، دیده شد که ترانزیستور طراحی شده، ظرفیت­های کوچکتر، تاخیر ذاتی پایین­تر و حاصلضرب توان در تاخیر کمتری در مقایسه با ترانزیستور با ثابت دی الکتریک بالاتر دارد. همچنین قابلیت تحرک بار و سرعت متوسط آن، در مقایسه با ترانزیستور های با ثابت دی الکتریک پایین­تر، بهبود یافت.

ژنگ و همکاران، به بررسی خواص نانو نوار گرافنی زیگزاگی تزریق شده با نیتروژن پرداختند. در این مقاله نشان داده شد که انرژی تشکیل این نانونوارها ، به محل تزریق  نیتروژن بستگی دارد. در تزریق نیتروژن ترجیح بر ان داده شده است که در نزدیکی  نواحی لبه ها بوده تا یک ناحیه ناخالصی در پایین یا بالای تراز فرمی برای نانونوار تزریق شده وجود داشته باشد که در این مورد نیز وابسته به محل تزریق هست.

گوپتا و هماران، مدلی از ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر گرافن  ارایه کردند  که در آن ناخالصی­های بور و نیتروژن به کانال تزریق شده بودند. ترانزیستور به شکل Z بوده که در آن ناحیه کانال از نوع نانوار گرافنی آمچیر و اتصالات از نوع زیگزاگی ­اند. با تزریق ناخالصی دیده شد کلیه خواص الکترونیکی دستخوش تغییر شده از جمله گاف انرژی که کاملا به محل تزریق و نوع تزریق ناخالصی بستگی دارد. میزان گاف انرژی برای حالت بدون تزریق حدود 3/2 الکترون­ولت و برای حالت تزریق نیتروژن، اضافه شدن ترازهایی در اطراف سطح فرمی دیده می­شود و تجمع ترازها بیشتر در باند هداست است و باند ممنوعه به سمت باند ظرفیت پیش رفته است.

هدف ها

در این پژوهش، تاکید اصلی و تمرکز روی مطالعات نظری و شبیه سازی ترانزیستور مبتنی بر نانو نوارگرافنی می‌باشد. مطالعه و بررسی تحلیلی بر اساس محاسبات انجام می‌‌شود تا رفتار الکتریکی و عملکرد نانو نوار گرافن را بتوان درک و مشخص کرد. بر این اساس، عملکرد ترانزیستور مبتنی بر نانو نوار گرافنی، را می­توان در آینده بیشتر بهینه کرد. اهداف این پژوهش را به شرح زیر می توان خلاصه کرد:

1- برای درک رفتار نانو نوارگرافنی، ساختار باند الکترونیکی آن در نظر گرفته می‌شود، پس از آن چگالی حالات بررسی شده­ و گاف انرژی از ساختار باندی، مورد مطالعه و بررسی قرار می‌گیرد.

2- بررسی عملکرد نانونوارگرافنی از نقطه نظر مشخصه جریان-ولتاژ

3- تزریق ناخالصی آلومینیوم و گالیم  به نانونوار و مشاهده تغییرات موجود در خواص الکترونیکی آن

4- پسیوسازی با نیتروژن

5- تعیین نسبت جریان پیک به جریان دره

6- مطالعه میزان مقاومت دیفرانسیلی منفی

 

فرضیه ها

تزریق آلومیینیوم و گالیوم به کانال ترانزیستور مبتنی بر نانونوار گرافنی زیگزاگی، باعث ایجاد جریان بالای درین، نسبت بالای جریان روشن به جریان خاموش و همچنین نسبت جریان پیک به جریان دره بالا، در مقایسه با حالت تزریق بور می­شود.
همچنین تزریق آهن و کبالت باعث تغییر در مشخصه های الکترکی نانونوارگرافنی می­شود.

کاربرد تحقیق

کاربرد بالقوه این ادوات، در قطعات منطقی، مدارات فرکانس بالا و حافظه­ هاست.

 

استفاده کنندگان از نتایج پایان نامه

شرکت­های نیمه هادی، دانشگاه­ها و مراکز دانش­بینان و مراکز صنعتی

 

نوآوری تحقیق

در این پایان نامه از نیتروژن برای پسیوسازی لبه­ها استفاده می­کنیم. بدلیل اینکه انرژی پیوند در پسیو سازی مولکول N2  مثبت است، لذاتشکیل چنین نانو نوارهایی از لحاظ انرژی مساعد است. پسیو سازی با نیتروژن می­تواند نانونوار گرافنی را از حالت فلزی به سمت نیمرسانا پیش ببرد. مهندسی گاف انرژی از طریق پسیو سازی با نیتروژن، دارای این مزیت است که نیازمند کنترل فرایند ساخت نبوده و همچنین باعث از بین رفتن پیوند SP2 اتم کربن نیز نمی­شود. در ادامه کار، ترانزیستوری را طراحی خواهیم کرد که لبه­های نانونوار گرافنی آن با نیتروژن پسیو شده و همچنین الکترودهای درین و سورس آن نیز با اتم نیتروژن و کانال آن با آلومینیوم و گالیوم، تزریق شوند. در نهایت میزان گاف انرژی و سایر خصوصیات الکترونیکی این حالت، با نانو نوار گرافنی نوع آرمچیری پسیو شده با هیدروژن، مقایسه خواهد شد. همچنین فلزاتی مانند آهن،کبالت یا نیکل نیز به کانال تزریق شده و اثر آنها نیز بررسی خواهند شد

 

روش انجام تحقیق

با استفاده از مقالات موجود در این زمینه، به انتخاب مقالات مشابه از پایگاه­های استنادی موجود پرداخته و مطابق آن­ها پیش خواهیم رفت. اکثر روش­های مورد استفاده در این مقالات تئوری تابع چگالی(DFT) بوده که نظریه‌ای در چارچوب مکانیک کوانتومی برای بررسی ساختار الکترونی مواد در سیستم‌های بس ذره‌ای است. در فیزیک، هر سیستمی که بیشتر از یک ذره تشکیل شده باشد، سیستم بس ذره­ ای می­نامند. نظریه تابع چگالی از محبوب‌ترین و فراگیرترین روش­ها در فیزیک حالت جامد و مکانیک کوانتومی و شیمی کوانتومی می‌باشد. این نظریه به عنوان یک روش محاسباتی مناسب برای محاسبه همبستگی الکترونی رواج یافته است. در آغاز برای استفاده در فیزیک حالت جامد (فیزیک جامدات) بسط داده شده بود و انرژی همبستگی الکترون (در بعضی موارد انرژی تبادلی) به عنوان تابعی از چگالی محاسبه می­گردد. نظريه تابعی چگالی يکی از نظريه‌های جامعی است که در حال حاضر بر مبنای آن خواص ساختاری و الکترونی مواد مختلف مورد مطالعه قرار می­گيرند. مطالعه خواص فيزيکی و شيميايی مواد موجود در طبيعت به دليلپيچيدگي­های ذاتی ناشی از برهمکنش­های متعدد ذرات تشکيل دهنده آن­ها بدون اعمال تقريب­های ساده کننده به طور تحليلی امکان پذير نيست. بنابراين کدهای محاسباتی متعددی بر مبنای نظريه تابعی چگالی وجود دارند که با استفاده از آن­ها می­توان به محاسبه خواص گوناگون مواد پرداخت. به دليل موفقيت­های پی­درپی نظريه تابعی چگالی در توصيف بسياری از پديده های طبيعی هر ساله بر تعداد اين کدها افزوده می شود و به وسيله آنها نقاط ضعف و قوت جديدی در نظريه آشکار و مورد تجزيه و تحليل قرار می گيرند. از يک سو تعميم اين نظريه توانمند برای پوشش و پيش بينی خواص طيف وسيعتری از مواد، ارتباط مستقيمی با درک جزييات کدهای محاسباتی دارد. از سوی ديگر درک کدهای محاسباتی مستلزم درک عميق نظريه تابعی چگالی است. این مدل شامل دو نوع روش تقریبی LDA یا تقریب چگالی محلی و GGA یا تقریب گرادیان تعمیم یافته است. دومی از تقریب شیب خطی استفاده می­کند ودقیقتر از اولی هست ولی زمان نسبتا زیادی جهت انجام محاسبات لازم دارد.
از جمله مدل­های دیگر برای تحلیل، مدل Extended Huckle Model هست که مدلی خود سازگار، مقاوم­تر و برای تحلیل فیزیک مولکولی مناسب­تر است و دارای الگوریتمی است که اول برای  حالات مختلف تست شده و بعدا انتشار یافته است. این مدل سریعتر و دقیقتر از مدلDFT  هست. قابلیت انتقالش کمتر از DFT و بیشتر از Tight Binding هست.

 

روش و ابزار گردآوری اطلاعات

برای شبیه ­سازی موضوعات مربوط به گرافن نرم افزارهای متعددی تولید شده­اند که از روش­های مختلفی برای تحلیل استفاده می­کنند. ازجمله آن­ها می­توان به نرم افزارهای گوسین، Quantum ESPRESSO، Nano TCAD ، Virtual Nano Lab(VNL) یا(ATK)  Atomistic Tool Kit اشاره کرد. برای شبیه سازی کار پایان­نامه، نرم افزار ATK انتخاب خواهد شد. داده­های استخراج شده از آن در نرم افزار Matlab رسم و بررسی شده که از طریق تعریف توابع مربوط به رسم نمودارهای چگالی حالات و طیف عبوری و منحنی های جریان-ولتاژ انجام می­شود. نرم افزار ATK یک نرم افزار قدرتمند و محبوب برای شبیه­ سازی در حوزه های مختلف مهندسی، شیمی، فیزیک و مواد است. ازجمله ویژگی­های بارز آن به داشتن رابط کاربری گرافیکی خوب، قدرت

تحلیل بالا و دقیق و قابلیت پوشش اکثر روش­های حل شامل DFT, Tight Binding را نام برد. این نرم افزار به سرعت رو به رشد بوده و می­توان گفت هر ساله ورژن­های بالاتر و بهتری از آن ارایه می­گردد و دارای محیطی است که می­توان در حوزه الکترونیک، نانو الکترونیک و اسپینترونیک و شیمی از آن بهره جست و دارای کتابخانه هایی از عنصرها و ترکیبات دوتایی و چندتایی و ساختارهای مشهور مانند گرافن، سیلیسن ، نانو لوله­ های کربنی  و نانو نوارهای گرافنی  و یا عناصر مانندی سیلسیم ، بور، کربن و ... است. در این نرم افزار می­توان به سادگی ساختار مورد نظر خود را انتخاب کرده و به مطالعه خواص الکترونیکی آن از قبیل رسم نمودارهای مربوط به چگالی حالات ، ساختار باندی ، طیف عبوری  و…  پرداخت.

روش تجزیه و تحلیل اطلاعات

نرم افزار ATK تحلیل کننده الکترواستاتیکی انواع ساختارها بوده و در آن امکان اعمال شرایط مرزی مختلف مانند دیریکله، نیومن و پریودیک محیا می­باشد. در این نرم افزار اعمال بایاس به دو صورت یکی از طریق گیت­ها و دیگری از طریق الکترودها می­تواند انجام شود. نواحی موجود در هنگام اعمال بایاس شامل الکترودهای چپ و راست و ناحیه پراکندگی می­باشد. جنس الکترودها می­تواند فلزی، گرافنی و یا نانو لوله ­های کربنی بوده و می تواند اندازه­های متفاوتی نسبت به همدیگر داشته باشد و لزوماً جنس­شان نیز یکسان نیست چرا که بطور مثال الکترود سمت چپ می­تواند از فلز طلا و سمت راست پلاتین یا گرافن و غیره باشد. مورد مهم مربوط به شبیه­سازی ترانزیستورهای مبتنی بر گرافن است که ویژگی­های مختلف آن­ها مانند مشخصه جریان-ولتاژ، میزان مولفه عبوری و پتانسیل اعمالی از خارج، می­تواند بررسی شود. برای عمل شبیه­سازی در محیط نرم افزار رابط گرافیکی مناسب در نظرگرفته شده است که دارای کتابخانه¬ها و ترکیبات مهم مانند گرافن و نانو لوله­ های کربنی و نمونه­ های از پیش آماده­ای است.

برای شروع می­توان بسته به نوع کاربرد ساختار مورد نظر را انتخاب کرده و شروع به تغییر دادن پارامترهای مربوط به آن کرد. محیط آن شامل چند قسمت است مانند محیط Builder  که می­توان ساختار مورد نظر را ایجاد کرد. فایل­ها در این قسمت با پسوند py .

ذخیره می­شوند. بعد از طراحی، ساختار مورد نظر روانه ادامه شبیه­سازی شده ودر محیط Scripter با انتخاب پارامترهای مناسب جهت دقت و صحت هر چه بیشتر، به اجرا می­رسد. فایل­های شبیه­سازی شده برحسب نیاز، در فایلی با پسوند .nc ذخیره می­شوند. با انتخاب فایل موردنظر و استخراج شکل یا داده­های مربوط به آن می­توان به مطالعه در مورد آن پرداخت.

 

موضوع پایان نامه مهندسی برق قدرت انجام پایان نامه برق قدرت

موضوع پایان نامه مهندسی برق انجام پایان نامه برق قدرت

آموزش نرم افزار گمز و شبیه سازی با گمز

پروپوزال مهندسی برق قدرت ریز شبکه

هماهنگی حفاظتی یکپارچه رله‌های اضافه جریان همراه با جایابی و تعیین ظرفیت بهینه واحدهای تولید پراکنده در شبکه توزیع الکتریکی 

دانلود پروژه آماده کنترل مدرن (کد 12)

دانلود پروژه آماده کنترل مدرن کد 215

پروپوزال مهندسی برق محاسبه تعرفه های پویا در شبکه های توزیع با ضریب نفوذ بالای خودروهای برقی با در نظر گرفتن کلیدزنی بهینه فیدر

 

مشاوره تخصصی انجام پایان نامه ارشد

یکی از مهمترین وظایف دانشجویان در مقاطع تحصیلات تکمیلی (کارشناسی ارشد و دکتری) انجام پایان نامه می باشد. فقر اساتید خبره در زمینه های مختلف علمی تحقیقاتی در برخی دانشگاه های داخلی و خارجی موجب سردرگمی دانشجویان عزیز گردیده است، موسسه ادیب مشاور مفتخر است که در پاسخ به این نیاز طی ده سال فعالیت به تعداد بیشماری از دانشجویان ارشد و دکتری خدمات مشاوره تخصصی ارايه داده است.

به طور کلی انجام پایان نامه کاری زمان بر است که دانش و تجربه زیادی نیازمند است. موسسه ادیب مشاور با چندین سال تجربه در عرصه مشاوره و با در اختیار داشتن متخصصین و اساتیدی با تجربه آماده مشاوره و آموزش پایان نامه در کلیه رشته های دانشگاهی می باشد.

علاوه بر این موسسه ادیب مشاور، در زمینه شبیه سازی مقالات، پایان نامه ها و انجام پروژه ها با برنامه نویسی نیز به دانشجویان کشور عزیزمان خدمات لازم را ارائه می کند. این خدمات شامل تحلیل آماری، پیاده سازی با انواع نرم افزارهای مهندسی، برنامه نویسی با انواع زبان های برنامه نویسی و تهیه پرسش نامه می شود.

به طور کلی سر فصل های خدمات موسسه ادیب مشاور عبارتند از:

مشاوره پروپوزال در رشته مدیریت، حسابداری، مهندسی برق قدرت، مهندسی برق الکترونیک، مهندسی کامپیوتر و روانشناسی و دیگر رشته ها

مشاوره پایان نامه در رشته مدیریت، حسابداری، مهندسی برق قدرت، مهندسی برق الکترونیک، مهندسی کامپیوتر و روانشناسی و دیگر رشته ها

استخراج مقاله از پایان نامه در رشته مدیریت، حسابداری، مهندسی برق قدرت، مهندسی برق الکترونیک، مهندسی کامپیوتر و روانشناسی و دیگر رشته ها

شبیه سازی انواع مقالات مهندسی

تحلیل آماری پایان نامه های آماری

تهیه پرسش نامه در رشته های مختلف دانشگاهی

تهیه پرسش نامه آنلاین در بستر اینترنت

مشاوره رایگان در انتخاب موضوع پایان نامه های مهندسی و سایر رشته ها

انجام پروژه های برنامه نویسی با انواع زبان های برنامه نویسی از قبیل پایتون، متلب و آموزش کامل پروژه انجام شده در قالب فیلم آموزشی

انجام پروژه های شبیه سازی شبکه یا پایان نامه های مرتبط با شبکه با نرم افزارهای NS2 و NS3

انجام پایان نامه ادیب مشاور، انجام پایان نامه، انجام پایان نامه ارشد، انجام پایان نامه کارشناسی ارشد، انجام رساله دکتری، انجام پایان نامه دکتری

اگر برای هریک از موارد فوق نیاز به مشاوره رایگان دارید، همین الان با ما تماس بگیرید.

­